国度常识产权局信息透露，深圳辰达半导体有限公司赢得一项名为“一种低导通内阻肖特基二极管过火制备纪律”的专利，授权公告号CN121751659B，苦求日历为2026年2月。

天眼查府上透露，深圳辰达半导体有限公司，拓荒于2010年，位于深圳市，是一家以从事科技抓行和愚弄办奇迹为主的企业。企业注册成本526.3158万东谈主民币。通过天眼查大数据分析，轮盘app下载深圳辰达半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标口头2次，财产痕迹方面有商标信息8条，专利信息61条，此外企业还领有行政许可10个。

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本文源自：商场资讯

作家：谍报员